SK keyfoundry成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺，斬獲1200V新品訂單，正式開啟SiC業務全面佈局
成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺，確保高可靠性與良率競爭力 啟動為新客戶開發1200V SiC MOSFET，加速SiC化合物半導體代工業務程序 韓國首爾2026年3月11日 /美通社/ — 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈，公司近期已完成SiC（碳化矽）平面MOSFET工藝平臺的開發。當前，該平臺在新一代化合物功率半導體市場中正備受青睞。公司還透露，已獲得一家新客戶的1200V SiC MOSFET產品開發訂單，這標誌著其全面啟動SiC化合物半導體代工業務。 SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工藝平臺支援450V至2300V的寬電壓範圍。該平臺已在高壓工作環境下獲得了高可靠性與穩定性資料，證明瞭其卓越效能。此外，透過全面最佳化工藝流程並實現對核心製程的精準管控，公司已將產品良率提升至90%以上，同時提高了生產效率。SK keyfoundry還表示，公司提供差異化的「定製化工藝支援服務」，能夠根據客戶的特定需求微調電氣特性與規格引數。 隨著該工藝平臺開發的完成，SK keyfoundry已獲得一家專註於SiC設計的客戶的1200V高壓產品訂單，並啟動了產品開發工作。該工藝將應用於客戶的工業裝置，在熱效率管理方面發揮關鍵作用。完成樣片評估和可靠性驗證後，公司計劃於2027年上半年啟動全面量產。 此次SiC平面MOSFET工藝平臺的開發，是SK keyfoundry收購SiC專業公司SK powertech後，整合雙方核心能力的首個成果。技術研發完成後隨即獲得實際客戶訂單，也印證了該平臺已跨越技術驗證階段，具備了可立即投入商業化的成熟度與競爭力。…
