SK keyfoundry加速碳化矽化合物功率半導體技術開發
— 透過收購SK powertech掌握核心技術能力，目標2025年底前提供工藝技術 — 韓國首爾2025年11月12日 /美通社/ — 韓國8英吋純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈，正加速開發碳化矽(SiC)化合物功率半導體技術，加大進軍全球功率半導體市場的力度。公司憑借在半導體製造工藝領域的先進製造專長與廣泛智慧財產權(IP)組合，近期已完成對碳化矽領域具備核心競爭力的關鍵企業SK powertech的收購，此舉有望進一步增強SK keyfoundry的技術競爭力。 基於從晶圓加工到後端製造的深厚理解，SK keyfoundry積累了豐富的工藝最佳化技術及提升良率的專業能力。透過此次收購，SK keyfoundry成功獲得了SK powertech的碳化矽工藝與設計技術，有望在碳化矽化合物半導體領域產生卓越的協同效應。SK powertech憑借其稀缺的商用碳化矽功率器件及核心工藝技術在韓國備受認可，此次收購使SK keyfoundry在碳化矽功率半導體領域紮實奠定了技術自主的基礎。 立足這一基礎，SK keyfoundry正加速推進技術開發，目標在2025年底前推出碳化矽MOSFET 1200V工藝技術，並於2026年上半年啟動碳化矽功率半導體代工業務。公司特別計劃拓展其工藝技術版圖，聚焦電動汽車電驅系統、工業電源轉換器與可再生能源逆變器等高壓、高效應用領域。為實現這一目標，SK…